企业简介
张家港凯思半导体有限公司 main business:半导体、集成电路及电子产品的技术开发、技术转让、技术咨询及相关的技术服务；半导体、集成电路、电子产品购销；信息咨询服务；自营和代理各类商品及技术的进出口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动） and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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张家港凯思半导体有限公司的工商信息
- 320582000249791
- 91320582586652734W
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司（自然人投资或控股的法人独资）
- 2011年12月06日
- 蔡云波
- 1000.000000
- 2011年12月06日 至 2061年12月05日
- 张家港市市场监督管理局
- 2015年12月29日
- 凤凰镇双龙村
- 半导体、集成电路及电子产品的技术开发、技术转让、技术咨询及相关的技术服务；半导体、集成电路、电子产品购销；信息咨询服务；自营和代理各类商品及技术的进出口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
张家港凯思半导体有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 张家港凯思半导体有限公司 | http://www.casssemi.com |
张家港凯思半导体有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 11342300 |  |
凯思 | 2012-08-13 | 电池 | 查看详情 |
张家港凯思半导体有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN205564758U | 超低功耗半导体功率器件 | 2016.09.07 | 本实用新型公开了一种光刻层数少、而且反向恢复时间短的超低功耗半导体功率器件，包括：半导体基板，半导体 |
| 2 | CN205564757U | 一种超低功耗半导体功率器件 | 2016.09.07 | 本实用新型公开了一种光刻层数少、工艺简单的超低功耗半导体功率器件，包括：半导体基板，半导体基板上设置 |
| 3 | CN105914230A | 一种超低功耗半导体功率器件及制备方法 | 2016.08.31 | 本发明公开了一种光刻层数少、工艺简单的超低功耗半导体功率器件，包括：半导体基板，半导体基板上设置有元 |
| 4 | CN105895671A | 超低功耗半导体功率器件及制备方法 | 2016.08.24 | 本发明公开了一种光刻层数少、而且反向恢复时间短的超低功耗半导体功率器件，包括：半导体基板，半导体基板 |
| 5 | CN103779416B | 一种低VF的功率MOSFET器件及其制造方法 | 2016.06.29 | 本发明公开了一种漏电小、VF值可调的低VF功率MOSFET器件，包括：其上部第一导电类型漂移区的表面 |
| 6 | CN103346155B | 一种超势垒整流器件及其制造方法 | 2016.03.30 | 本发明公开了一种超势垒整流器件，该整流器件保留了现有肖特基势垒整流器件的特点且具有MOS结构，并且在 |
| 7 | CN205075285U | 一种直插式分立器件以及成型模具 | 2016.03.09 | 本实用新型公开了一种方便后续安装且不易产生短路又能满足散热要求的直插式分立器件，包括散热片、基岛、三 |
| 8 | CN103337523B | 一种斜沟槽超势垒整流器件及其制造方法 | 2016.03.02 | 本发明公开了一种既不增加光照次数、又能克服寄生JEFT效应的斜沟槽超势垒整流器件，包括：半导体基板， |
| 9 | CN103779415B | 平面型功率MOS器件及其制造方法 | 2016.03.02 | 本发明公开了一种可减少光刻次数的平面型功率MOS器件的制造方法，步骤为：a)提供将第一导电类型外延层 |
| 10 | CN105252712A | 一种直插式分立器件和制作方法以及成型模具 | 2016.01.20 | 本发明公开了一种方便后续安装且不易产生短路又能满足散热要求的直插式分立器件，包括散热片、基岛、三个并 |
| 11 | CN103151380A | 一种沟槽型半导体功率器件及其制造方法和终端保护结构 | 2013.06.12 | 本发明公开了一种低成本的沟槽型半导体功率器件，包括半导体基板，并联的单胞构成位于中心的有源区，有源区 |
| 12 | CN103325846B | 一种斜沟槽肖特基势垒整流器件的制造方法 | 2015.09.16 | 本发明公开了一种可提高反向击穿电压的斜沟槽肖特基势垒整流器件，包括：半导体基板，半导体基板的上部为第 |
| 13 | CN102832234B | 一种沟槽型半导体功率器件及其制造方法和终端保护结构 | 2015.04.22 | 本发明公开了一种可降低制造成本、并可提高反向击穿电压的半导体功率器件，包括半导体基板，其中心区由并联 |
| 14 | CN204230248U | 一种沟槽功率MOSFET器件及其静电保护结构 | 2015.03.25 | 本实用新型公开了一种沟槽功率MOSFET器件的静电保护结构，所述沟槽功率MOSFET器件的有源区外围 |
| 15 | CN104465628A | 一种沟槽功率MOSFET器件及其制作方法和静电保护结构 | 2015.03.25 | 本发明公开了一种沟槽功率MOSFET器件的静电保护结构，所述沟槽功率MOSFET器件的有源区外围的栅 |
| 16 | CN104409359A | 一种沟槽型半导体功率器件的制造方法 | 2015.03.11 | 本发明公开了一种可以减小芯片面积的沟槽型半导体功率器件的制造方法，主要步骤包括：1)提供具有第一导电 |
| 17 | CN104409358A | 一种沟槽型半导体器件中的沟槽的制造方法 | 2015.03.11 | 本发明公开了一种可增加多晶硅场板宽度的沟槽型半导体器件中的沟槽的制造方法，其步骤为：1)提供具有第一 |
| 18 | CN204189799U | 一种沟槽型MOS器件及其终端保护结构 | 2015.03.04 | 本实用新型公开了一种有效的改善终端保护区电场线分布，提高终端保护结构的性能和可靠性的沟槽型MOS器件 |
| 19 | CN104377245A | 一种沟槽型MOS器件及其制造方法和终端保护结构 | 2015.02.25 | 本发明公开了一种有效的改善终端保护区电场线分布，提高终端保护结构的性能和可靠性的沟槽型MOS器件以及 |
| 20 | CN203721733U | 平面型功率MOS器件 | 2014.07.16 | 本实用新型公开了一种可以大幅降低制造成本的平面型功率MOS器件，包括：半导体基板，半导体基板下部为重 |
| 21 | CN203721734U | 一种低VF的功率MOSFET器件 | 2014.07.16 | 本实用新型公开了一种漏电小、且VF值可调的低VF功率MOSFET器件，包括：其上部第一导电类型漂移区 |
| 22 | CN103779416A | 一种低VF的功率MOSFET器件及其制造方法 | 2014.05.07 | 本发明公开了一种漏电小、VF值可调的低VF功率MOSFET器件，包括：其上部第一导电类型漂移区的表面 |
| 23 | CN103779415A | 平面型功率MOS器件及其制造方法 | 2014.05.07 | 本发明公开了一种可减少光刻次数的平面型功率MOS器件的制造方法，步骤为：a)提供将第一导电类型外延层 |
| 24 | CN203339171U | 一种斜沟槽超势垒整流器件 | 2013.12.11 | 本实用新型公开了一种既不增加光照次数、又能克服寄生JEFT效应的斜沟槽超势垒整流器件，包括：半导体基 |
| 25 | CN203312299U | 一种超势垒整流器件 | 2013.11.27 | 本实用新型公开了一种超势垒整流器件，该整流器件保留了现有肖特基势垒整流器件的特点且具有MOS结构，并 |
| 26 | CN203312301U | 一种MOS超势垒整流器件 | 2013.11.27 | 本实用新型公开了一种MOS超势垒整流器件，该整流器件设置了沟槽，第二导电类型注入区包裹沟槽,所述MO |
| 27 | CN203300654U | 斜沟槽肖特基势垒整流器件 | 2013.11.20 | 本实用新型公开了一种可提高反向击穿电压的斜沟槽肖特基势垒整流器件，包括：半导体基板，半导体基板的上部 |
| 28 | CN103346155A | 一种超势垒整流器件及其制造方法 | 2013.10.09 | 本发明公开了一种超势垒整流器件，该整流器件保留了现有肖特基势垒整流器件的特点且具有MOS结构，并且在 |
| 29 | CN103337523A | 一种斜沟槽超势垒整流器件及其制造方法 | 2013.10.02 | 本发明公开了一种既不增加光照次数、又能克服寄生JEFT效应的斜沟槽超势垒整流器件，包括：半导体基板， |
| 30 | CN103325839A | 一种MOS超势垒整流器件及其制造方法 | 2013.09.25 | 本发明公开了一种MOS超势垒整流器件，该整流器件设置了沟槽，第二导电类型注入区包裹沟槽，这种结构可替 |
| 31 | CN103325846A | 斜沟槽肖特基势垒整流器件及其制造方法 | 2013.09.25 | 本发明公开了一种可提高反向击穿电压的斜沟槽肖特基势垒整流器件，包括：半导体基板，半导体基板的上部为第 |
| 32 | CN203118956U | 一种沟槽型半导体功率器件及其终端保护结构 | 2013.08.07 | 本实用新型公开了一种低成本的沟槽型半导体功率器件及其终端保护结构。沟槽型半导体功率器件包括：半导体基 |
| 33 | CN203055918U | 沟槽型半导体功率器件及其终端保护结构 | 2013.07.10 | 本实用新型公开了一种沟槽型半导体功率器件及其终端保护结构，包括半导体基板，其中心区由并联的单胞构成有 |
| 34 | CN103151381A | 沟槽型半导体功率器件及其制造方法和终端保护结构 | 2013.06.12 | 本发明公开了一种可降低制造成本、并可提高反向击穿电压的半导体功率器件，包括半导体基板，其中心区由并联 |
| 35 | CN202772136U | 一种沟槽型半导体功率器件及其终端保护结构 | 2013.03.06 | 本实用新型公开了一种可降低制造成本、并可提高反向击穿电压的半导体功率器件，包括半导体基板，其中心区由 |
| 36 | CN102832234A | 一种沟槽型半导体功率器件及其制造方法和终端保护结构 | 2012.12.19 | 本发明公开了一种可降低制造成本、并可提高反向击穿电压的半导体功率器件，包括半导体基板，其中心区由并联 |
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